ION-IMPLANTED BIPOLAR SILICON INTEGRATED-CIRCUIT PROCESS

被引：1

作者：

SANDERS, IR ^{[1
]}

机构：

[1] PLESSEY CO LTD,ALLAN CLARK RES CTR,TOWCESTER,NORTHAMPTONSHIR,ENGLAND

来源：

MICROELECTRONICS AND RELIABILITY | 1977年 / 16卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1016/0026-2714(77)90155-X

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：75 / 80

页数：6

共 7 条

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