PLANAR EPITAXIAL SILICON SCHOTTKY BARRIER DIODES

被引：36
作者：
KAHNG, D
LEPSELTE.MP
机构：
来源：
BELL SYSTEM TECHNICAL JOURNAL | 1965年 / 44卷 / 07期
关键词：
D O I：
10.1002/j.1538-7305.1965.tb04191.x
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
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页码：1525 / +
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