CHARGE MULTIPLICATION IN AU-SIC (6H) SCHOTTKY JUNCTIONS

被引：11

作者：

GLOVER, GH ^{[1
]}

机构：

[1] GE,RES & DEV CTR,POB 8,SCHENECTADY,NY 12301

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.321514

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：4842 / 4844

页数：3

共 9 条

CROWELL, CR ;

SZE, SM .

GLOVER, GH .

[3]

GUTS VV, 1969, SOV PHYS SEMICOND+, V3, P331

[4] ELECTRON EMISSION FROM BREAKDOWN REGIONS IN SIC P-N JUNCTIONS [J].

PATRICK, L ;

CHOYKE, WJ .

[5]

Philipp HR, 1960, SILICON CARBIDE HIGH, P366

SCHIBLI, E ;

MILNES, AG .

SLACK, GA .

[8]

SZE SM, 1969, PHYSICS SEMICONDUCTO, P114

[9] AVALANCHE BREAKDOWN IN EPITAXIAL SIC P-N JUNCTIONS [J].

VANOPDORP, C ;

VRAKKING, J .