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ELECTRONIC EXCITATION MODEL FOR IMPURITY-ENHANCED SOLID-PHASE EPITAXY OF AMORPHOUS-SILICON
被引：1
作者：
WAUTELET, M
机构：
关键词：
D O I：
10.1088/0268-1242/4/8/013
中图分类号：
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ;
0809 ;
摘要：
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页码：685 / 686
页数：2
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