SN-DOPED GAAS EPILAYERS GROWN BY LOW-PRESSURE MOCVD

被引：0

作者：

LEE, MK ^{[1
]}

CHANG, CY ^{[1
]}

SU, YK ^{[1
]}

机构：

[1] NATL CHENG KUNG UNIV,ELECTR & ELECT ENGN RES INST,TAINAN,TAIWAN

来源：

JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY | 1982年 / 129卷 / 08期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

收藏

页码：C329 / C330

页数：2

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