LOW-TEMPERATURE MAGNETO-CONDUCTANCE OF N-TYPE GE IN STRONG ELECTRIC-FIELDS

被引：0

作者：

MOVCHAN, EA ^{[1
]}

BONDAR, NN ^{[1
]}

机构：

[1] ACAD SCI UKSSR,SEMICOND INST,KIEV,UKSSR

来源：

SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR | 1975年 / 9卷 / 03期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

O469 [凝聚态物理学];

学科分类号：

070205 ;

摘要：

引用

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页码：310 / 311

页数：2

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共 3 条

[1]

BEER AC, 1963, GALVANOMAGNETIC E S4

[2]

MOVCHAN EA, 1972, SOV PHYS SEMICOND+, V6, P54

[3]

MOVCHAN EA, 1975, FIZ TEKH POLUPROV, V9, P349