A DEPENDENCE OF PHOTOLUMINESCENCE ON THE QUALITY OF SURFACE PREPARATION AND PROPERTIES OF N-TYPE INP

被引：0

作者：

KNAUER, A

GRAMLICH, S

STASKE, R

机构：

来源：

KVANTOVAYA ELEKTRONIKA | 1988年 / 15卷 / 11期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

收藏

页码：2276 / 2279

页数：4

相关论文

共 4 条

[1] EVIDENCE FOR LOW SURFACE RECOMBINATION VELOCITY ON N-TYPE INP [J].

CASEY, HC ;

BUEHLER, E .

APPLIED PHYSICS LETTERS, 1977, 30 (05) :247-249

[2] SURFACE CHARACTERIZATION OF INP USING PHOTOLUMINESCENCE [J].

CHANG, RR ;

IYER, R ;

LILE, DL .

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1987, 61 (05) :1995-2004

[3]

HUBER A, 1977, J CRYST GROWTH, V29, P3739

[4] PHOTOLUMINESCENCE AND X-RAY PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY MEASUREMENTS OF INP SURFACE TREATED BY ACID AND BASE SOLUTIONS [J].

KRAWCZYK, SK ;

HOLLINGER, G .

APPLIED PHYSICS LETTERS, 1984, 45 (08) :870-872