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STRUCTURAL AND ELECTRICAL-PROPERTIES OF PHOTO-CVD SILICON-NITRIDE FILM
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作者
:
NUMASAWA, Y
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0
机构:
NIPPON ELECT CO LTD,DEPT PROC DEV,DIV VLSI DEV,KANAGAWA 229,JAPAN
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NUMASAWA, Y
[
1
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YAMAZAKI, K
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机构:
NIPPON ELECT CO LTD,DEPT PROC DEV,DIV VLSI DEV,KANAGAWA 229,JAPAN
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YAMAZAKI, K
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]
HAMANO, K
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NIPPON ELECT CO LTD,DEPT PROC DEV,DIV VLSI DEV,KANAGAWA 229,JAPAN
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HAMANO, K
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]
KOBAYASHI, K
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NIPPON ELECT CO LTD,DEPT PROC DEV,DIV VLSI DEV,KANAGAWA 229,JAPAN
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KOBAYASHI, K
[
1
]
机构
:
[1]
NIPPON ELECT CO LTD,DEPT PROC DEV,DIV VLSI DEV,KANAGAWA 229,JAPAN
来源
:
JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY
|
1983年
/ 130卷
/ 03期
关键词
:
D O I
:
暂无
中图分类号
:
O646 [电化学、电解、磁化学];
学科分类号
:
081704 ;
摘要
:
引用
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页码:C101 / C101
页数:1
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