AN RF BRIDGE TECHNIQUE FOR CONTACTLESS MEASUREMENT OF THE CARRIER LIFETIME IN SILICON-WAFERS

被引：34

作者：

TIEDJE, T

HABERMAN, JI

FRANCIS, RW

GHOSH, AK

机构：

来源：

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1983年 / 54卷 / 05期

关键词：

D O I：

10.1063/1.332368

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：2499 / 2503

页数：5

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[1]

Adler R.B., 1964, INTRO SEMICONDUCTOR

[2]

BLAIS PD, 1980, ASTM STP AM SOC TEST, V712, P148

[3]

CARSLAW HS, 1976, CONDUCTION HEAT SOLI

[4]

Milnes AG, 1972, HETEROJUNCTIONS META

[5]

Rose A., 1978, CONCEPTS PHOTOCONDUC, V2nd ed.

[6]

1980, ASTM STP AM SOC TEST, V712

[7]

1981, ASTM F39178 AM SOC T