共 2 条
FREQUENCY LIMITS OF GAAS AND INP FIELD-EFFECT TRANSISTORS AT 300K AND 77K WITH TYPICAL ACTIVE-LAYER DOPING
被引:17
作者:
MALONEY, TJ
[1
]
FREY, J
[1
]
机构:
[1] CORNELL UNIV,SCH ELECT ENGN,ITHACA,NY 14853
关键词:
D O I:
10.1109/T-ED.1976.18440
中图分类号:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号:
0808 ;
0809 ;
摘要:
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