FREQUENCY LIMITS OF GAAS AND INP FIELD-EFFECT TRANSISTORS AT 300K AND 77K WITH TYPICAL ACTIVE-LAYER DOPING

被引：17

作者：

MALONEY, TJ ^{[1
]}

FREY, J ^{[1
]}

机构：

[1] CORNELL UNIV,SCH ELECT ENGN,ITHACA,NY 14853

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1976年 / 23卷 / 05期

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1976.18440

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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共 2 条

[1] FREQUENCY LIMITS OF GAAS AND INP FIELD-EFFECT TRANSISTORS
MALONEY, TJ
FREY, J
[J]. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 1975, ED22 (06) : 357 - 358
[2] ELECTRON DYNAMICS IN SHORT CHANNEL FIELD-EFFECT TRANSISTORS
RUCH, JG
[J]. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 1972, ED19 (05) : 652 - &