FREQUENCY LIMITS OF GAAS AND INP FIELD-EFFECT TRANSISTORS AT 300K AND 77K WITH TYPICAL ACTIVE-LAYER DOPING

被引:17
作者
MALONEY, TJ [1 ]
FREY, J [1 ]
机构
[1] CORNELL UNIV,SCH ELECT ENGN,ITHACA,NY 14853
关键词
D O I
10.1109/T-ED.1976.18440
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
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