磁性复合流体对砷化镓晶片的超精密表面抛光（英文）

研究了磁性复合流体（MCF）浆料对砷化镓（Ga As）晶片表面纳米精密抛光的影响。通过混合CS羰基铁颗粒（CIPs）、Al2O3磨料颗粒、α-纤维素和磁性流体制备MCF浆料。首先，通过设计用于产生旋转磁场的MCF单元，建立了抛光装置。然后，对Ga As晶片表面进行了点抛光实验，以阐明MCF成分对不同抛光位置的表面粗糙度Ra和材料去除（MR）的影响。最后，使用含有不同直径颗粒的水基MCF浆料进行了扫描抛光实验。结果表明，在点抛光的情况下，水基和油基MCF处理后的初始表面粗糙度从954.07 nm分别降至1.02和20.06 nm。此外，MR的深度随着抛光时间的增加而线性增加。使用水基MCF的MR深度是使用油基MCF抛光的2.5倍。同时，抛光区的横截面轮廓显示出W型，这表明点抛光工件表面的MR不均匀。通过扫描抛光，抛光区的横截面轮廓显示出U型，这表明在给定的实验条件下，无论使用何种MCF,MR都是均匀的。使用含有直径为0.3μm的磨粒的MCF能够获得Ra为0.82 nm的最光滑工作表面，同时MR速率为13.5μm/h。