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Resonance capture of holes in modulation-doped n-AlGaAs/GaAs quantum well structures
被引：0
作者：
N. G. Yaremenko
M. V. Karachevtseva
V. A. Strakhov
机构：
[1] Russian Academy of Sciences,Kotel’nikov Institute of Radio Engineering and Electronics
来源：
Doklady Physics
|
2011年
/
56卷
关键词：
GaAs;
GaAs Layer;
Space Thickness;
Excess Carrier;
Resonance Capture;
D O I：
暂无
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页码：150 / 154
页数：4
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