Resonance capture of holes in modulation-doped n-AlGaAs/GaAs quantum well structures

被引：0

作者：

N. G. Yaremenko

M. V. Karachevtseva

V. A. Strakhov

机构：

[1] Russian Academy of Sciences,Kotel’nikov Institute of Radio Engineering and Electronics

来源：

Doklady Physics | 2011年 / 56卷

关键词：

GaAs; GaAs Layer; Space Thickness; Excess Carrier; Resonance Capture;

D O I：

暂无

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学科分类号：

摘要：

引用

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