Effect of the Beryllium Acceptor Impurity upon the Optical Properties of Single-Crystal AlN

被引：0

作者：

E. N. Mokhov

M. K. Rabchinskiy

S. S. Nagalyuk

M. R. Gafurov

O. P. Kazarova

机构：

[1] Ioffe Institute,

[2] Kazan (Volga region) Federal University,undefined

来源：

Semiconductors | 2020年 / 54卷

关键词：

AlN; Be impurity; diffusion; optical properties;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

页码：278 / 281

页数：3

共 133 条

[1]

Tsao J. Y.(2018)undefined Adv. Electron. Mater. 4 1600501-undefined

[2]

Chowdhury S.(2008)undefined Phys. Status Solidi C 5 1612-undefined

[3]

Hollis M. A.(2007)undefined Phys. Status Solidi B 244 1759-undefined

[4]

Jena D.(2006)undefined Nature (London, U. K.) 441 325-undefined

[5]

Johnson N. M.(2008)undefined Phys. Rev. Lett. 100 256404-undefined

[6]

Jones K. A.(2014)undefined Appl. Phys. Lett. 105 162106-undefined

[7]

Kaplar R. J.(2013)undefined Appl. Magn. Reson. 44 1139-undefined

[8]

Rajan S.(2018)undefined Appl. Phys. Lett. 113 082104-undefined

[9]

van de Walle C. G.(1968)undefined Sov. Phys. Solid State 10 634-undefined

[10]

Bellotti E.(2012)undefined Phys. Status Solidi C 9 745-undefined