An improved theoretical model of the dc characteristics of metal-semiconductor field effect transistors

被引：0

作者：

P. Chattopadhyay

J. Pal

机构：

[1] Department of Electronic Science,

[2] University College of Science,undefined

[3] 92,undefined

[4] A.P.C. Road,undefined

[5] Calcutta-700 009,undefined

[6] India,undefined

来源：

Applied Physics A | 1998年 / 67卷

关键词：

PACS: 73.20; 73.30+y; 73.40.Qv;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

页码：563 / 565

页数：2