TCAD Simulation of High-Voltage 4H-SiC Diodes with an Edge Semi-Insulating Region

被引：0
作者：
P. A. Ivanov
N. M. Lebedeva
机构：
[1] Ioffe Institute,
来源：
Semiconductors | 2021年 / 55卷
关键词：
silicon carbide; diode; semi-insulating edge region; TCAD simulation;
D O I：
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页码：256 / 261
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