Photoelectron diffraction study and structure determination of ultrathin hafnium silicide layers on Silicon(100) using MgKα radiation and synchrotron light

被引：0

作者：

Fluechter, C. R.

Weier, D.

de Siervo, A.

Schuermann, M.

Dreiner, S.

Carazzolle, M. F.

Landers, R.

Kleiman, G. G.

Westphal, C.

机构：

[1] Univ Dortmund, D-44221 Dortmund, Germany

[2] Univ Dortmund, DELTA, D-44227 Dortmund, Germany

[3] Univ Estadual Campinas, Inst Fis, BR-13083 Campinas, Brazil

来源：

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

O433 [光谱学];

学科分类号：

0703 ; 070302 ;

摘要：

引用

页码：XXXV / XXXVI

页数：2