Carrier escape time in GaAs/AlGaAs and InGaAs/GaAs quantum-well lasers

被引：8

作者：

Esquivias, I ^{[1
]}

Romero, B ^{[1
]}

Weisser, S ^{[1
]}

Czotscher, K ^{[1
]}

Ralston, JD ^{[1
]}

Larkins, EC ^{[1
]}

Arias, J ^{[1
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Schonfelder, A ^{[1
]}

Mikulla, M ^{[1
]}

Fleissner, J ^{[1
]}

Rosenzweig, J ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV POLITECN MADRID,DEPT TECNOL FOTON,E-28040 MADRID,SPAIN

来源：

HIGH-SPEED SEMICONDUCTOR LASER SOURCES | 1996年 / 2684卷

关键词：

semiconductor lasers; quantum well lasers; carrier dynamics; high-speed sources; GaAs/AlGaAs; InGaAs/GaAs;

D O I：

10.1117/12.236950

中图分类号：

O43 [光学];

学科分类号：

070207 ; 0803 ;

摘要：

引用

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页数：10