Influence of the mechanical strain induced by a metal gate on electron and hole transport in single and double-gate SOI MOSFETSs

被引：10

作者：

Guillaume, T ^{[1
]}

Mouis, M ^{[1
]}

Maîtrejean, S ^{[1
]}

Poncet, A ^{[1
]}

Vinet, A ^{[1
]}

Deleonibus, S ^{[1
]}

机构：

[1] UJF, INPG, CNRS, UMR 5130,IMEP, F-38016 Grenoble, France

来源：

2004 IEEE INTERNATIONAL SOI CONFERENCE, PROCEEDINGS | 2004年

关键词：

D O I：

10.1109/SOI.2004.1391547

中图分类号：

TH7 [仪器、仪表];

学科分类号：

0804 ; 080401 ; 081102 ;

摘要：

引用

页码：42 / 43

页数：2

共 5 条

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