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How we made the IGZO transistor
被引：119
作者：
Hosono, Hideo
[1
]
机构：
[1] Tokyo Inst Technol, Yokohama, Kanagawa, Japan
来源：
NATURE ELECTRONICS
|
2018年
/
1卷
/
07期
关键词：
All Open Access;
Bronze;
D O I：
10.1038/s41928-018-0106-0
中图分类号：
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ;
0809 ;
摘要：
Semiconducting indium compounds
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页码：428 / 428
页数：1
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