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How we made the IGZO transistor
被引:119
作者
:
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
Hosono, Hideo
[
1
]
机构
:
[1]
Tokyo Inst Technol, Yokohama, Kanagawa, Japan
来源
:
NATURE ELECTRONICS
|
2018年
/ 1卷
/ 07期
关键词
:
All Open Access;
Bronze;
D O I
:
10.1038/s41928-018-0106-0
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
Semiconducting indium compounds
引用
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页码:428 / 428
页数:1
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