Majority and minority mobilities in heavily doped gallium aluminum arsenide for device simulations

被引：0

作者：

Bennett, HS ^{[1
]}

机构：

[1] NATL INST STAND & TECHNOL,GAITHERSBURG,MD 20899

来源：

SISPAD '96 - 1996 INTERNATIONAL CONFERENCE ON SIMULATION OF SEMICONDUCTOR PROCESSES AND DEVICES | 1996年

关键词：

D O I：

10.1109/SISPAD.1996.865246

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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