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Polarity determination of GaN films grown by MOCVD on (0001)Al2O3
被引:0
作者
:
Daudin, B
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0
机构:
CEA GRENOBLE,DEPT RECH FONDAMENTALE MAT CONDENSEE,SPMM,F-38054 GRENOBLE 9,FRANCE
CEA GRENOBLE,DEPT RECH FONDAMENTALE MAT CONDENSEE,SPMM,F-38054 GRENOBLE 9,FRANCE
Daudin, B
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Rouviere, JL
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CEA GRENOBLE,DEPT RECH FONDAMENTALE MAT CONDENSEE,SPMM,F-38054 GRENOBLE 9,FRANCE
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Rouviere, JL
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Ligeon, E
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CEA GRENOBLE,DEPT RECH FONDAMENTALE MAT CONDENSEE,SPMM,F-38054 GRENOBLE 9,FRANCE
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Ligeon, E
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Arlery, M
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CEA GRENOBLE,DEPT RECH FONDAMENTALE MAT CONDENSEE,SPMM,F-38054 GRENOBLE 9,FRANCE
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Arlery, M
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Niebuhr, R
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Niebuhr, R
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]
Bachem, KH
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Bachem, KH
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机构
:
[1]
CEA GRENOBLE,DEPT RECH FONDAMENTALE MAT CONDENSEE,SPMM,F-38054 GRENOBLE 9,FRANCE
来源
:
BLUE LASER AND LIGHT EMITTING DIODES
|
1996年
关键词
:
D O I
:
暂无
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
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