Electrical activation process of C implanted semi-insulating GaAs

被引：0

作者：

Kuriyama, K ^{[1
]}

Kato, T ^{[1
]}

Tomizawa, K ^{[1
]}

Takahashi, Y ^{[1
]}

Aoki, Y ^{[1
]}

Takeshita, H ^{[1
]}

Yamamoto, S ^{[1
]}

Naramoto, H ^{[1
]}

机构：

[1] HOSEI UNIV,COLL ENGN,KOGANEI,TOKYO 184,JAPAN

来源：

ION BEAM MODIFICATION OF MATERIALS | 1996年

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：878 / 881

页数：4