First-order transistor DC model

被引：0
作者：
Hart, BL
机构：
来源：
ELECTRONIC ENGINEERING | 1998年 / 70卷 / 856期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
引用
收藏
页码：14 / +
页数：2
相关论文
共 5 条
[1]   LARGE-SIGNAL BEHAVIOR OF JUNCTION TRANSISTORS [J].
EBERS, JJ ;
MOLL, JL .
PROCEEDINGS OF THE INSTITUTE OF RADIO ENGINEERS, 1954, 42 (12) :1761-1772
[2]  
GETREU I, 1976, TEKTRONIX, P10
[3]   A first-order dc model of the MOSFET [J].
Hart, BL .
INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTRICAL ENGINEERING EDUCATION, 1997, 34 (04) :326-330
[4]  
HART BL, 1997, INTRO ANALOGUE ELECT, P7
[5]  
JOHNSON EO, 1973, RCA REV, V34, P80
1