Ab initio study of epitaxial growth on a Si(100) surface in the presence of steps

被引：0

作者：

Milman, V ^{[1
]}

Pennycook, SJ ^{[1
]}

Jesson, DE ^{[1
]}

机构：

[1] BIOSYM,MSI,CAMBRIDGE,ENGLAND

来源：

MATERIALS THEORY, SIMULATIONS, AND PARALLEL ALGORITHMS | 1996年 / 408卷

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

TP301 [理论、方法];

学科分类号：

081202 ;

摘要：

引用

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页码：439 / 444

页数：6

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