Increase of parasitic resistance of shallow p+ extension with SiN sidewall process by hydrogen passivation of boron and its improvement by preamorphization for sub-0.25 mu m pMOSFETs

被引：1

作者：

Inaba, S ^{[1
]}

Murakoshi, A ^{[1
]}

Tanaka, M ^{[1
]}

Takagi, MT ^{[1
]}

Koyama, H ^{[1
]}

Koike, H ^{[1
]}

Yoshimura, H ^{[1
]}

Matsuoka, F ^{[1
]}

机构：

[1] TOSHIBA CO LTD,SEMICOND DEVICE ENGN LAB,SAIWAI KU,KAWASAKI,KANAGAWA 210,JAPAN

来源：

1996 SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY: DIGEST OF TECHNICAL PAPERS | 1996年

关键词：

D O I：

10.1109/VLSIT.1996.507836

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：168 / 169

页数：2