DLTS study in GaAs1-xSbx

被引：3

作者：

PlaczekPopko, E ^{[1
]}

Szatkowski, J ^{[1
]}

Hajdusianek, A ^{[1
]}

Radojewska, B ^{[1
]}

机构：

[1] WROCLAW TECH UNIV,INST PHYS,PL-50370 WROCLAW,POLAND

来源：

METAL/NONMETAL MICROSYSTEMS: PHYSICS, TECHNOLOGY, AND APPLICATIONS | 1996年 / 2780卷

关键词：

semiconductors; deep levels; DLTS; GaAsSb;

D O I：

10.1117/12.238145

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页数：4