DLTS study in GaAs1-xSbx

被引:3
作者
PlaczekPopko, E [1 ]
Szatkowski, J [1 ]
Hajdusianek, A [1 ]
Radojewska, B [1 ]
机构
[1] WROCLAW TECH UNIV,INST PHYS,PL-50370 WROCLAW,POLAND
来源
METAL/NONMETAL MICROSYSTEMS: PHYSICS, TECHNOLOGY, AND APPLICATIONS | 1996年 / 2780卷
关键词
semiconductors; deep levels; DLTS; GaAsSb;
D O I
10.1117/12.238145
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
引用
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页码:153 / 156
页数:4
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