首页
学术期刊
论文检测
AIGC检测
热点
更多
数据
DLTS study in GaAs1-xSbx
被引:3
作者
:
PlaczekPopko, E
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
WROCLAW TECH UNIV,INST PHYS,PL-50370 WROCLAW,POLAND
WROCLAW TECH UNIV,INST PHYS,PL-50370 WROCLAW,POLAND
PlaczekPopko, E
[
1
]
Szatkowski, J
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
WROCLAW TECH UNIV,INST PHYS,PL-50370 WROCLAW,POLAND
WROCLAW TECH UNIV,INST PHYS,PL-50370 WROCLAW,POLAND
Szatkowski, J
[
1
]
Hajdusianek, A
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
WROCLAW TECH UNIV,INST PHYS,PL-50370 WROCLAW,POLAND
WROCLAW TECH UNIV,INST PHYS,PL-50370 WROCLAW,POLAND
Hajdusianek, A
[
1
]
Radojewska, B
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
WROCLAW TECH UNIV,INST PHYS,PL-50370 WROCLAW,POLAND
WROCLAW TECH UNIV,INST PHYS,PL-50370 WROCLAW,POLAND
Radojewska, B
[
1
]
机构
:
[1]
WROCLAW TECH UNIV,INST PHYS,PL-50370 WROCLAW,POLAND
来源
:
METAL/NONMETAL MICROSYSTEMS: PHYSICS, TECHNOLOGY, AND APPLICATIONS
|
1996年
/ 2780卷
关键词
:
semiconductors;
deep levels;
DLTS;
GaAsSb;
D O I
:
10.1117/12.238145
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
引用
收藏
页码:153 / 156
页数:4
相关论文
未找到相关数据
未找到相关数据