Electronic and annealing properties of a metastable He-ion implantation induced defect in GaAs (reprinted from Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, vol 106, pg 323-327, 1995)

被引：0

作者：

Auret, FD ^{[1
]}

Goodman, SA ^{[1
]}

Erasmus, RM ^{[1
]}

Meyer, WE ^{[1
]}

Myburg, G ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV PRETORIA,DEPT PHYS,ZA-0002 PRETORIA,SOUTH AFRICA

来源：

ION BEAM MODIFICATION OF MATERIALS | 1996年

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：323 / 327

页数：5