Identification of tunnelling mechanisms through GaAs/AlAs/GaAs single barrier structures

被引：0

作者：

Finley, JJ ^{[1
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Teissier, RJ ^{[1
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Skolnick, MS ^{[1
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Cockburn, JW ^{[1
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Grey, R ^{[1
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Hill, G ^{[1
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Pate, MA ^{[1
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机构：

[1] UNIV SHEFFIELD,DEPT PHYS,SHEFFIELD S3 7RH,S YORKSHIRE,ENGLAND

来源：

HOT CARRIERS IN SEMICONDUCTORS | 1996年

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：517 / 522

页数：6