Device integration of a 0.35 mu m CMOS on shallow SIMOX technology for high-speed and low-power applications.

被引：3

作者：

Adan, AO ^{[1
]}

Naka, T ^{[1
]}

Kaneko, S ^{[1
]}

Urabe, D ^{[1
]}

Higashi, K ^{[1
]}

Kagisawa, A ^{[1
]}

机构：

[1] SHARP CO LTD,VLSI DEV LAB,IC GRP,TENRI,NARA 632,JAPAN

来源：

1996 IEEE INTERNATIONAL SOI CONFERENCE PROCEEDINGS | 1996年

关键词：

D O I：

10.1109/SOI.1996.552521

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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