A technique for improving the distortion of GaAs variable attenuator IC using squeezed-gate FET structure

被引：3

作者：

Miyatsuji, K ^{[1
]}

Ishida, H ^{[1
]}

Fukui, T ^{[1
]}

Ueda, D ^{[1
]}

机构：

[1] MATSUSHITA ELECT IND CO LTD,ELECT RES LAB,TAKATSUKI,OSAKA 56911,JAPAN

来源：

MONOLITHIC CIRCUITS SYMPOSIUM, DIGEST OF PAPERS | 1996年

关键词：

D O I：

10.1109/MCS.1996.506300

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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