Dry etching of InGaP and AlInP in CH4/H-2/Ar

被引：0

作者：

Lee, JW ^{[1
]}

Pearton, SJ ^{[1
]}

Santana, CJ ^{[1
]}

Lambers, ES ^{[1
]}

Abernathy, CR ^{[1
]}

Hobson, WS ^{[1
]}

Ren, F ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV FLORIDA,GAINESVILLE,FL 32611

来源：

COMPOUND SEMICONDUCTOR ELECTRONICS AND PHOTONICS | 1996年 / 421卷

关键词：

D O I：

10.1557/PROC-421-315

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：315 / 320

页数：6