3-D numerical simulation of the pseudo-MOS transistor

被引：0

作者：

Munteanu, D ^{[1
]}

Cristoloveanu, S ^{[1
]}

Guichard, E ^{[1
]}

机构：

[1] ENSERG, LPCS, F-38016 Grenoble 1, France

来源：

1997 IEEE INTERNATIONAL SOI CONFERENCE PROCEEDINGS | 1996年

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：94 / 95

页数：2