Stability considerations in the application of PML absorbing boundary condition to FDTD simulation of microwave circuits

被引：0

作者：

Naishadham, K ^{[1
]}

机构：

[1] WRIGHT STATE UNIV,DEPT ELECT ENGN,DAYTON,OH 45435

来源：

1996 IEEE MTT-S INTERNATIONAL MICROWAVE SYMPOSIUM DIGEST, VOLS 1-3 | 1996年

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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页数：4

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