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NPT-IGBT - Optimizing for manufacturability
被引:8
作者
:
Burns, D
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0
机构:
MOTOROLA INC,POWER PROD DIV,PHOENIX,AZ
MOTOROLA INC,POWER PROD DIV,PHOENIX,AZ
Burns, D
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]
Deram, I
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MOTOROLA INC,POWER PROD DIV,PHOENIX,AZ
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Deram, I
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Mello, J
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MOTOROLA INC,POWER PROD DIV,PHOENIX,AZ
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Mello, J
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Morgan, J
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MOTOROLA INC,POWER PROD DIV,PHOENIX,AZ
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Morgan, J
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Wan, I
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MOTOROLA INC,POWER PROD DIV,PHOENIX,AZ
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Wan, I
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Robb, F
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MOTOROLA INC,POWER PROD DIV,PHOENIX,AZ
MOTOROLA INC,POWER PROD DIV,PHOENIX,AZ
Robb, F
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]
机构
:
[1]
MOTOROLA INC,POWER PROD DIV,PHOENIX,AZ
来源
:
ISPSD '96 - 8TH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON POWER SEMICONDUCTOR DEVICES AND ICS, PROCEEDINGS
|
1996年
关键词
:
D O I
:
10.1109/ISPSD.1996.509509
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
引用
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页码:331 / 334
页数:4
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