Adaptive threshold voltage insensitive FET current source

被引：3

作者：

Frounchi, J ^{[1
]}

Harrold, S ^{[1
]}

机构：

[1] UMIST, Dept Elect Engn & Elect, Manchester M60 1QD, Lancs, England

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1997年 / 33卷 / 22期

关键词：

high electron mobility transistors; gallium arsenide;

D O I：

10.1049/el:19971278

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

A new method for eliminating the sensitivity of the output current of a current source to the threshold voltage is introduced. The application of this technique is examined in a GaAs D-HEMT current source. This technique can be applied to any FET technology.

引用

页码：1902 / 1904

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