High impact ionization rate in silicon by sub-picosecond THz electric field pulses

被引：0

作者：

Tarekegne, Abebe T. ^{[1
]}

Iwaszczuk, Krzysztof ^{[1
]}

Hirori, Hideki ^{[2
]}

Tanaka, Koichiro ^{[3
]}

Jepsen, Peter U. ^{[1
]}

机构：

[1] DTU Foton, Lyngby, Denmark

[2] Kyoto Univ, Kyoto, Japan

[3] Inst Integrated Cell Mat Sci, Kyoto, Japan

来源：

ULTRAFAST PHENOMENA AND NANOPHOTONICS XXI | 2017年 / 10102卷

关键词：

D O I：

10.1117/12.2252058

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页数：1