An empirical model for the characterization of hot-carrier induced MOS device degradation

被引：0

作者：

Wong, WS

Ice, A

Liou, JJ

机构：

[1] FTDM, Santa Clara, CA 95052 USA

[2] Exar Corp, San Jose, CA 95161 USA

[3] Univ Cent Florida, Dept Elect & Comp Engn, Orlando, FL 32816 USA

来源：

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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