Effects of random MOSFET parameter fluctuations on total power consumption

被引：0

作者：

Tang, XH ^{[1
]}

De, VK ^{[1
]}

Meindl, JD ^{[1
]}

机构：

[1] GEORGIA INST TECHNOL,SCH ECE,MICROELECT RES CTR,ATLANTA,GA 30332

来源：

1996 INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON LOW POWER ELECTRONICS AND DESIGN - DIGEST OF TECHNICAL PAPERS | 1996年

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页数：4