On the investigation of power and reliability performance of pseudomorphic AlGaAs/InGaAs HEMT's

被引：3

作者：

Li, GP ^{[1
]}

Chou, YC ^{[1
]}

Chen, YC ^{[1
]}

Wu, CS ^{[1
]}

Yu, KK ^{[1
]}

Midford, TA ^{[1
]}

Liu, Y ^{[1
]}

Sonek, GJ ^{[1
]}

Wei, X ^{[1
]}

Tromberg, BJ ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV CALIF IRVINE,DEPT ELECT & COMP ENGN,IRVINE,CA 92717

来源：

COMPOUND SEMICONDUCTOR ELECTRONICS AND PHOTONICS | 1996年 / 421卷

关键词：

D O I：

10.1557/PROC-421-107

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：107 / 118

页数：12