On the barrier heights distribution in Pd2Si/Si Schottky diodes

被引：0

作者：

Chand, S ^{[1
]}

Kumar, J ^{[1
]}

机构：

[1] INDIAN INST TECHNOL,MAT SCI PROGRAM,KANPUR,UTTAR PRADESH,INDIA

来源：

SEMICONDUCTOR DEVICES | 1996年 / 2733卷

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

TB3 [工程材料学];

学科分类号：

0805 ; 080502 ;

摘要：

引用

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页码：196 / 198

页数：3

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