Double gate dynamic threshold voltage (DGDT) SOI MOSFETs for low power high performance designs

被引：0

作者：

Wei, LQ ^{[1
]}

Chen, ZP ^{[1
]}

Roy, K ^{[1
]}

机构：

[1] Purdue Univ, ECE Dept, W Lafayette, IN 47907 USA

来源：

1997 IEEE INTERNATIONAL SOI CONFERENCE PROCEEDINGS | 1996年

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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