Channel engineering in n-MOSFET's: Scaling trends for hot electron injection and device degradation

被引：0

作者：

Williams, SC ^{[1
]}

Hulfachor, RB ^{[1
]}

Kim, KW ^{[1
]}

Littlejohn, MA ^{[1
]}

机构：

[1] N CAROLINA STATE UNIV,DEPT ELECT & COMP ENGN,RALEIGH,NC 27695

来源：

1996 54TH ANNUAL DEVICE RESEARCH CONFERENCE DIGEST | 1996年

关键词：

D O I：

10.1109/DRC.1996.546299

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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