Mechanism of diamond epitaxial growth on silicon

被引：0

作者：

Nakamura, N ^{[1
]}

Sano, J ^{[1
]}

Tsuboi, T ^{[1
]}

Yamamoto, M ^{[1
]}

Yugo, S ^{[1
]}

机构：

[1] Univ Electrocommun, Chofu, Tokyo 182, Japan

来源：

DIAMOND FILMS AND TECHNOLOGY | 1997年 / 7卷 / 5-6期

关键词：

mechanism; diamond; epitaxial growth; bias;

D O I：

暂无

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

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页数：2