A general physical model for short-channel double-gate SOI MOSFETS

被引：0

作者：

Li, ZM ^{[1
]}

Woo, JCS ^{[1
]}

机构：

[1] Univ Calif Los Angeles, Dept Elect Engn, Los Angeles, CA 90095 USA

来源：

1997 IEEE INTERNATIONAL SOI CONFERENCE PROCEEDINGS | 1996年

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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