Energetic, vibrational, and electronic properties of silicon using a nonorthogonal tight-binding model (vol 62, pg 4477, 2000)

被引：9
作者：
Bernstein, N
Mehl, MJ
Papaconstantopoulos, DA
Papanicolaou, NI
Bazant, MZ
Kaxiras, E
机构：
来源：
PHYSICAL REVIEW B | 2002年 / 65卷 / 24期
关键词：
D O I：
10.1103/PhysRevB.65.249902
中图分类号：
T [工业技术];
学科分类号：
08 ;
摘要：
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共 1 条
[1]   Energetic, vibrational, and electronic properties of silicon using a nonorthogonal tight-binding model [J].
Bernstein, N ;
Mehl, MJ ;
Papaconstantopoulos, DA ;
Papanicolaou, NI ;
Bazant, MZ ;
Kaxiras, E .
PHYSICAL REVIEW B, 2000, 62 (07) :4477-4487
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