Fabrication of 1 μm gate diamond FET using self-aligned gate process

被引：0

作者：

Umezawa, H

Kitatani, K

Kinumura, K

Seto, N

Tsugawa, K

Kawarada, H

机构：

[1] Waseda Univ, Sch Sci & Engn, Shinjuku Ku, Tokyo 1690072, Japan

[2] Japan Sci & Technol Corp, CREST, Osaka, Japan

来源：

NEW DIAMOND AND FRONTIER CARBON TECHNOLOGY | 1999年 / 9卷 / 02期

关键词：

diamond; MESFET; self-aligned gate process;

D O I：

暂无

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：151 / 153

页数：3