Effect of substrate bias in bulk and SOI sige-channel p-MOSFETs

被引：1

作者：

Niu, GF

Ruan, G

机构：

[1] Department of Electronic Engineering, Fudan University

来源：

SOLID-STATE ELECTRONICS | 1996年 / 39卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(95)00151-4

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

[No abstract available]

引用

收藏

页码：305 / 307

页数：3

相关论文

共 11 条

[11] HIGH-MOBILITY MODULATION-DOPED GRADED SIGE-CHANNEL P-MOSFETS [J].

VERDONCKTVANDEBROEK, S ;

CRABBE, EF ;

MEYERSON, BS ;

HARAME, DL ;

RESTLE, PJ ;

STORK, JMC ;

MEGDANIS, AC ;

STANIS, CL ;

BRIGHT, AA ;

KROESEN, GMW ;

WARREN, AC .

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 1991, 12 (08) :447-449