A 21mW 8b 125MS/s ADC occupying 0.09mm2 in 0.13μm CMOS

被引：13

作者：

Mulder, J ^{[1
]}

Ward, CM ^{[1
]}

Lin, CH ^{[1
]}

Kruse, D ^{[1
]}

Westra, JR ^{[1
]}

Lugthart, ML ^{[1
]}

Arslan, E ^{[1
]}

van de Plassche, RJ ^{[1
]}

Bult, K ^{[1
]}

van der Goes, FML ^{[1
]}

机构：

[1] Broadcom Netherlands, Bunnik, Netherlands

来源：

2004 IEEE INTERNATIONAL SOLID-STATE CIRCUITS CONFERENCE, DIGEST OF TECHNICAL PAPERS | 2004年 / 47卷

关键词：

D O I：

10.1109/ISSCC.2004.1332693

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：260 / 261

页数：2