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Research of adaptability to manufacture of low signal transistor amplifiers by criterion of a minimum of noise factor
被引:0
作者
:
Vilmitsky, DS
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引用数:
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h-index:
0
机构:
Novosibirsk State Tech Univ, Novosibirsk, Russia
Novosibirsk State Tech Univ, Novosibirsk, Russia
Vilmitsky, DS
[
1
]
Lihanov, YM
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机构:
Novosibirsk State Tech Univ, Novosibirsk, Russia
Novosibirsk State Tech Univ, Novosibirsk, Russia
Lihanov, YM
[
1
]
机构
:
[1]
Novosibirsk State Tech Univ, Novosibirsk, Russia
来源
:
SIBERIAN RUSSIAN WORKSHOPS AND TUTORIALS ON ELECTRON DEVICES AND MATERIALS, EDM 2002, VOL 2, PROCEEDINGS
|
2002年
关键词
:
D O I
:
暂无
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
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页数:3
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共 3 条
[1]
ATKIN SV, 1975, POLUPROVODNICOVIE VH
[2]
KRAMER G, 1948, METODI MATEMATISCHES
[3]
SUKHODOEV IV, 1987, SLUMPVIE PARAMETRY T
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